香港挂牌之最全篇关于基于全桥式变压器开关电

  电源。它同时具有推挽式变压器开关电源电压利用率高,又具有半桥式变压器开关电源耐压高的特点。由于全桥式变压器开关电源经常用于工作电压高,输出大功率大的场合,因此,本文主要是基于全桥式变压器开关电源设计进行分析。

  全桥式变压器开关电源工作原理与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的工作原理是很相似的,我下面先来了解全桥式变压器开关电源工作原理。如下图1所示是全桥式变压器开关电源工作原理图。图中,K1、K2、K3、K4是4个控制开关,它们被分成两组;K1和K4为一组,K2和K3为另一组。开关电源工作的时候,总是一组接通,另一组关断,两组控制开关轮流交替工作;T为开关变压器,N1为变压器的初级线为变压器的次级线圈;Ui为直流输入电压,R为负载电阻;uo为输出电压,io为流过负载的电流。

  从上面的原理图中可以看出,控制开关K1和K4与控制开关K2和K3正好组成一个电桥的两臂,变压器作为负载被跨接于电桥两臂的中间。因此,我们把图1的电路称为全桥式开关电源电路。图中,当控制开关K1和K4接通时候,电源电压Ui被加到变压器初级线绕组的a、b两端,同时,由于电磁感应的作用在变压器次级线绕组的两端也会输出一个与N1绕组输入电压Ui成正比的电压,并加到负载R的两端,使开关电源输出一个正半周电压。

  当控制开关控制开关K1和K4由接通转为关断的时候,控制开关K2和K3则由关断转为接通,电源电压Ui被加到变压器初级线绕组的b、a两端;同理,由于电磁感应的作用在变压器次级线绕组的两端也会输出一个与N1绕组输入电压成正比的电压,并加到负载R的两端,使开关电源输出一个负半周电压。

  当控制开关K1和K4接通时候,电源电压Ui被加到变压器初级线绕组的a、b两端,在变压器初级线绕组中将有电流经过,通过电磁感应会在变压器的铁心中产生磁场,并产生磁力线;同时,在初级线绕组的两端要产生自感电动势e1,在次级线绕组的两端也会产生感应电动势e2;感应电动势e2作用于负载R的两端,从而产生负载电流。

  全桥式变压器开关电源的工作原理与推挽式变压器开关电源的工作原理是非常接近的,只是变压器的激励方式与工作电源的接入方式有点不同;因此,用于计算推挽式变压器开关电源变压器初级线绕组匝数的数学表达式,同样可以用于全桥式变压器开关电源变压器初级线全式开关电源变压器初级线圈匝数的计算

  全桥式变压器开关电源与推挽式开关电源一样,也属于双激式开关电源,因此用于全桥式开关电源的变压器铁心的磁感应强度B,可从负的最大值-Bm,变化到正的最大值+Bm,并且变压器铁心可以不用留气隙。全桥式开关电源变压器的计算方法与前面推挽式开关电源变压器的计算方法基本相同,根据推挽式开关电源变压器初级线圈匝数计算公式:

  由上面的公式看出,虽然是用来计算推挽式变压器开关电源变压器初级线绕组匝数的公式,但对于全桥式变压器开关电源变压器初级线圈匝数的计算同样有效。

  式中,N1为变压器初级线绕组的最少匝数,S为变压器铁心的导磁面积(单位:平方厘米),Bm为变压器铁心的最大磁感应强度(单位:高斯);Ui为开关电源的工作电压,即加到变压器初级线绕组两端的电压,单位为伏;τ = Ton,为控制开关的接通时间,简称脉冲宽度,或电源开关管导通时间的宽度(单位:秒); F为工作频率,单位为赫芝,一般双激式开关电源变压器工作于正、反激输出的情况下,其伏秒容量必须相等,因此,可以直接用工作频率来计算变压器初级线绕组的匝数;F和τ取值要预留20%左右的余量。式中的指数是统一单位用的,选用不同单位,指数的值也不一样,这里选用CGS单位制,即:长度为厘米(cm),磁感应强度为高斯(Gs),磁通单位为麦克斯韦(Mx)。

  全桥式变压器开关电源如果用于DC/AC或AC/AC逆变电源,即把直流逆变成交流,或把交流整流成直流后再逆变成交流,这种逆变电源一般输出电压都不需要调整,工作效率很高。

  用于逆变的全桥式变压器开关电源一般输出电压uo都是占空比等于0.5的方波,由于方波的波形系数(有效值与半波平均值之比)等于1,因此,方波的有效值Uo与半波平均值Upa相等,并且方波的幅值Up与半波平均值Upa也相等。所以,只要知道输出电压的半波平均值就可以知道有效值,再根据半波平均值,就可以求得半桥式开关电源变压器初、次级线直流输出电压非调整式全桥开关电源变压器初、次级线圈匝数比的计算

  直流输出电压非调整式全桥开关电源,就是在DC/AC逆变电源的交流输出电路后面再接一级整流滤波电路,请参考1-48.这种直流输出电压非调整式全桥开关电源的两组控制开关K1和K4、K2和K3的占空比与DC/AC逆变电源一样,一般都是0.5,整流输出电压的有效值Uo与半波平均值Upa基本相等。因此,直流输出电压非调整式全桥开关电源变压器初、次级线圈匝数比可直接利用如下公式来计算。即:

  2.4直流输出电压可调整式全桥开关电源变压器初、次级线圈匝数比的计算直流输出电压可调整式全桥开关电源的功能就要求输出电压可调,因此,全桥式变压器开关电源的两组控制开关K1、K4和K2、K3的占空比必须要小于0.5;因为全桥式变压器开关电源正反激两种状态都有电压输出,所以在同样输出电压(平均值)的情况下,两组控制开关K1、K4和K2、K3的占空比相当于要小一倍。当要求输出电压可调范围为最大时,占空比最好取值为0.25.如下公式:

  全桥式变压器开关电源与推挽式变压器开关电源一样,由于两组开关器件轮流交替工作,相当于两个开关电源同时输出功率,其输出功率约等于单一开关电源输出功率的两倍。因此,全桥式变压器开关电源输出功率很大,工作效率很高,经桥式整流或全波整流后,其输出电压的电压脉动系数Sv和电流脉动系数Si都很小,仅需要一个很小值的储能滤波

  ,就可以得到一个电压纹波和电流纹波都很小的输出电压。3.2全桥式开关电源的优点是开关管的耐压值特别的低。全桥式变压器开关电源最大的优点是,对4个开关器件的耐压要求比推挽式变压器开关电源对两个开关器件的耐压要求可以降低一半。因为,全桥式变压器开关电源4个开关器件分成两组,工作时2个开关器件互相串联,关断时,每个开关器件所承受的电压,只有单个开关器件所承受电压的一半。其最高耐压等于工作电压与反电动势之和的一半,这个结果正好是推挽式变压器开关电源两个开关器件耐压的一半。

  3.3全桥式变压器开关电源主要用于输入电压比较高的场合,在输入电压很高的情况下,

  采用全桥式变压器开关电源,其输出功率要比推挽式变压器开关电源的输出功率大很多。因此,一般电网电压为交流220伏供电的大功率开关电源大部分都是使用全桥式变压器开关电源。而在输入电压较低的情况下,推挽式变压器开关电源的输出功率又要比全桥式变压器开关电源的输出功率大很多。

  3.4全桥式变压器开关电源的电源利用率比推挽式变压器开关电源的电源利用率低一些,

  因为2组开关器件互相串联,两个开关器件接通时总的电压降要比单个开关器件接通时的电压降大一倍;但比半桥式变压器开关电源的电源利用率高很多。因此,全桥式变压器开关电源也可以用于工作电源电压比较低的场合。

  3.5与半桥式开关电源一样,全桥式变压器开关电源的变压器初级线圈只需要一个绕组,这也是它的优点,这对小功率开关电源变压器的线圈绕制多少带来一些方便。但对于大功率开关电源变压器的线圈绕制没有优势,因为,大功率开关电源变压器的线圈需要用多股线全桥式变压器开关电源的缺点主要是功率损耗比较较大,因此,全桥式变压器开关电源不适宜用于工作电压较低的场合,否则工作效率会很低。另外,全桥式变压器开关电源中的4个开关器件连接没有公共地,与驱动信号连接比较麻烦。

  全桥式开关电源最大的缺点是,当两组控制开关K1、K4和K2、K3处于交替转换工作状态的时候,4个开关器件会同时出现一个很短时间的半导通区域,即两组控制开关同时处于接通状态。这是因为开关器件在开始导通的时候,相当于对电容充电,它从截止状态到完全导通状态需要一个过渡过程;而开关器件从导通状态转换到截止状态的时候,相当于对电容放电,它从导通状态到完全截止状态也需要一个过渡过程。

  当两组开关器件分别处于导通和截止过渡过程时,即两组开关器件都处于半导通状态时,相当于两组控制开关同时接通,它们会造成对电源电压产生

  ;此时,在4个控制开关的串联回路中将出现很大的电流,而这个电流并没有通过变压器负载。因此,在4个控制开关K1、K4和K2、K3同时处于过渡过程期间,4个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗,一般在全桥式开关电源电路中,都有意让两组控制开关的接通和截止时间错开一小段时间。

  在实际应用中,为了防止变压器初级线圈产生的反电动势把开关器件击穿,降低开关器件半导通状态期间的损耗和全桥式变压器开关电源输出电压波形的反冲幅度,一般可在图1中4个控制开关,每个控制开关的两端都并联一个阻尼二极管。全桥式变压器开关电源的交流输出波形与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的交流输出波形也基本相同。

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  2 / MC33152是双同相高速驱动器,专为需要低电流数字信号以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS / LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括具有迟滞的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统不稳定运行。 典型应用包括开关电源,DC-DC转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 该器件提供双列直插和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  71是一款高速双低侧MOSFET驱动器。它能够在米勒平台区域提供高达5 A峰值电流的容性负载的大峰值电流,以帮助降低MOSFET开关转换期间的米勒效应。该设备提供启用功能,为用户提供比各种应用中现有解决方案更好的控制。该器件采用MSOP8-EP封装,SOIC8封装,DFN8 2 mm x 2 mm封装和WDFN8 3 mm x 3 mm封装。 特性 优势 高电流驱动能力(+/- 5 A ) 能够驱动各种MOSFET TTL / CMOS兼容输入,与电源电压无关 在各种应用程序中易于实现 为每个驱动程序启用合并功能 允许用户更好地控制应用程序 引脚与最流行的现有行业标准双MOSFET驱动器兼容 代替现有的插座具有附加功能的额外好处ality 输入电压从4.5V到20V 两个输出可以并联以获得更高的驱动电流 应用 终端产品 开关电源 电信和服务器电源 同步整流器 DC / DC转换器 功率因数校正 电机驱动程序 基站 网络和通信设备 eMeters 汽车信息娱乐系统 摄像机,安防和监控设备 计算和消费类电子产品 电路图、引脚图和封装图...

  1 / MC33151是双反相高速驱动器,专为需要低电流数字电路以驱动具有高压摆率的大容性负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流,使CMOS和LSTTL逻辑兼容,输入迟滞用于快速输出切换,与输入转换时间无关,两个高电流图腾柱输出非常适合驱动功率MOSFET。还包括带滞后的欠压锁定,以防止在低电源电压下系统运行不稳定。 典型应用包括开关电源,直流到直流转换器,电容器电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。 这些器件提供双列直插式和表面贴装封装。 特性 具有1.5 A图腾柱输出的两个独立通道 输出上升和下降时间为15 ns,负载为1000 pF 具有滞后的CMOS / LSTTL兼容输入 滞后欠压锁定 低待机电流 高效率高频操作 增强系统性能通用开关稳压器控制IC 引脚输出等效于DS0026和MMH0026 电路图、引脚图和封装图...

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  00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可提供低压,大电流输出,并且外部元件数量最少。它具有高精度,超低压差(典型值为300mV,3.0安培负载),同时还提供极低的接地电流。该器件的输入工作电压范围为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。 NCP59301产品具有额外的输出错误标志,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还提供该系列的可调节版本。请联系您当地的销售办事处,了解您的具体要求。 特性 优势 在1.5 A输出时典型压降为175 mV,在3.0 A负载下典型压降为300 mV。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 最小化功率调节器损失 输出端陶瓷电容器稳定 避免使用昂贵的极化钽电容器 适用于汽车应用的NCV版本 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 NC59301选件上可用的错误标志 发出故障信号系统。 输出电流超过3安培 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和...

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 在完整的3.0 A负载下300 mV典型的压差。 无需使用开关稳压器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3安培负载下典型值为60 mA 可最大限度地降低功率损耗调节器 在输出端使用陶瓷电容器稳定 避免昂贵的极化钽电容器 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AECQ100标准且支持PPAP。 最大电压输入18V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 用于FPGA,DSP和处理器的负载 开关电源后调节 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...

  50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差低于300 mV。该器件的输入工作电压范围为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部保护功能包括输出电流限制,热关断和反向输出电流保护。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包括一个使能功能和一个输出错误标志。 特性 优势 输出电流超过1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV典型压差1.5 A处的输出和300 mV典型压差 生成辅助电源轨而无需使用切换调节器 低接地电流 - 在1.5 mA负载下典型值为40 mA 最大限度地减少调节器的功率损耗 在输出端使用陶瓷电容器稳定 昂贵的钽电容器的成本效益解决方案 适用于Aut的NCV版本omotive应用 符合AECQ100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18V 适用于汽车和网通应用程序 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 汽车模块 电路图、引脚图和封装图...

  00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容稳定。该系列最初由可调输出电压版本组成,未来计划采用固定电压版本。 NCP58300系列可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。 5引脚版本提供逻辑电平使能和错误标志引脚。 NCP58302是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 优势 完全3.0 A负载时370 mV典型压差 无需使用开关调节器即可生成辅助电源轨 低接地电流 - 在3.0 A负载下典型值为50 mA 最大限度地降低稳压器的功率损耗 输出上的钽电容稳定 指定使用钽电容稳定 提供NCV版本适用于汽车应用 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 最高电压输入高达18 V 适用于汽车和网通应用 输出电流超过3安培 汽车模块 应用 终端产品 FPGA,DSP和处理器的负载点 开关电源调节后 服务器和网络设备 电路图、引脚图和封装图...

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特性 输出电流超过3.0 A 全3 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的典型压差电压 可调节输出电压范围1.24 V至13 V 低接地电流 快速瞬态响应 开关电源后调节 陶瓷输出电容稳定 逻辑兼容使能引脚 电流限制,反向电流和热量关机保护 工作电压高达13.5 V 汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 工业标准MIC29300,MIC39300,MIC37300的功能替代,具有改进的最小输入电压规格 消费者和工业设备点监管 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...

  52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,能够提供超过1.5 A的输出电流,典型压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容稳定。该器件可承受高达18 V的最大输入电压。内部保护功能包括输出电流限制,内置热关断和反向输出电流保护。逻辑电平使能和错误标志引脚可用。 NCP57152是一款可调节电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特性 输出电流超过1.5 A 1.5 A输出电流的最小工作输入电压1.8 V 330 mV典型压差电压1.5 A 可调输出电压范围从1.24 V到13 V 低接地电流 快速瞬态响应 陶瓷稳定输出电容器 逻辑兼容使能和错误标志引脚 电流限制,反向电流和热关断保护 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用; AECQ100合格和PPAP能力 这些是无铅设备 应用 终端产品 具有改进的最小输入电压规格的工业标准MIC29150,MIC39150,MIC37150的功能替换 消费者和工业设备监管点 服务器和网络设备 FPGA,DSP和逻...

  8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,香港挂牌之最全篇由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

  A PWM控制器用于控制所有类型的开关电源,可提供更高的性能和更少的外部元件数量。片内+5.1 V基准电压调整为+/- 1%,误差放大器的输入共模电压范围包括参考电压,因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入使多个单元可以从属,或者单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在CT和放电引脚之间的单个电阻可以编程大范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路,仅需外接定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级,通过脉冲关断的PWM锁存器提供瞬时关断,以及具有更长关断命令的软启动循环。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的变化。输出级采用图腾柱设计,能够吸收和输出超过200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致关闭状态的低输出。 特性 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器范围 单独的振荡器同步引脚 可调节死区时间控制 输入欠压锁定 锁存PWM以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 应用 半桥 推拉式 电路图、引脚图和封装图...

  ACPL-3130栅极驱动光电耦合器包含一个GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-3130系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-3130的绝缘电压为V IORM = 630 V peak (选项060) 功能 高速响应 非常高的CMR 可引导的电源电流 安全认证(待定):

  UL认可 - 3750 V rms 1分钟。 for ACPL-3130 / J313

  CSA认证

  IEC / EN / DIN EN 60747-5-2批准 - V IORM = 630 V 峰值(选项060) 可用选项包括: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2,V IORM = 630 V PEAK 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变器 开关电源(SPS)...

  HCPL-3120栅极驱动光电耦合器包含GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。它非常适用于驱动功率IGBT和MOSFET,用于电机控制反转应用。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。 所提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-3120系列可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。它在VDE 0884中具有VIORM = 630 V峰值的绝缘电压。 功能 2.0最小峰值输出电流 15 kV / ms最小共模抑制(CMR)at VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL)无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证: UL认可 - 3750 Vrms 1分钟。 CSA认证 IEC / EN / DIN EN 60747-5-2批准:VIORM = 630 Vpeak用于选件060 可用选项: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2,VIORM = 630 V峰值 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项应用 ...

  ACNV3130包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合,可提供2.5A的最大峰值输出电流。 ACNV3130采用500 mil DIP 10封装,适合驱动高达1700V / 100A的IGBT。该封装具有宽的爬电距离和间隙,以及高功率应用所需的高强度绝缘电压。此类应用包括新兴的中压(690V)驱动器,可再生能源逆变器,牵引驱动器和电源。 ACNV3130具有行业最高的13mm爬电距离和间隙,即UL和IEC 60747-5- 5认证为V ISO = 7.5kV RMS 和V IORM = 2262V PEAK 。 特性 2.5最大峰值输出电流 2.0最大峰值输出电流 500 ns最大传播延迟 350 ns最大传播延迟差 40 kV /μs最小共模抑制(CMR),V CM = 1500 V I CC = 5.0 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作V CC 范围: 15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证 - UL认可7500 V RMS 1分钟。 - CSA - IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 2262 V PEAK 可供选择的是: 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应用 高绝缘电压(690V)应用...

  ACPL-P345是一款高速1A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-P345在IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中具有最高绝缘电压V IORM = 891Vpeak,并且通过3750 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 1.0 A最大峰值输出电流 0.8 A最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差异 LED电流输入滞后 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:10至20 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可3750 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 891 Vpeak ...

  ACPL-K342 / ACPL-H342包含AlGaAs LED,其光耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动功率 IGBT 和用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制所需的驱动电压设备。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动 IGBT ,栅极驱动器额定电压高达1200V / 150A。 对于 IGBT 具有更高的额定值,ACPL-H342 / ACPL-K342可用于驱动驱动 IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中,ACPL-H342和ACPL-K342的绝缘电压最高分别为VIORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特点 2.5 A最大峰值输出电流 2.0A最小峰值输出电流 内置有源米勒钳位 轨到轨输出电压 快速传播延迟以最小化死区时间 t PHL...

  ACPL-T350栅极驱动光电耦合器包含一个GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-T350系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-T350的绝缘电压为V IORM = 630 V peak (选件060)。 功能 2.5A绝对最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制( CMR)VCM = 1500 V 1.5 V最大低电平输出电压(VOL) I CC = 4 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 最大开关速度500 ns 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证 - UL认可3750 Vrms 1分钟。 - CSA认证 - IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可的VIORM = 630 Vpeak(选件060) 可选项有: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 VIORM = 630 Vpeak 300 =鸥翼表面贴装选项 500 =卷带包装选...

  Broadcom ACPL-P347是一款高速1.0A栅极驱动光耦器件,包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的MOSFET和IGBT。 ACPL-P347具有高绝缘电压V IORM = 891 V PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5并且已通过UL1577认证使用3750 V RMS 1分钟。 功能 1.0A最大峰值输出电流 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异 轨道到 - 轨道输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 V CM = 1500 V 具有迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可3750 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 891 V PEAK...

  ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个集成电路光耦合功率输出阶段。这种栅极驱动光电耦合器非常适合驱动 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特点 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 3.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围: -40°C至105°C 安全认证: UL认可3750/5000 ...

  ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个集成电路光耦合功率输出阶段。这种栅极驱动光电耦合器非常适合驱动 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 200A。 对于 具有更高额定值的IGBT,ACPL-P343 / ACPL-W343 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动分立功率级的驱动器IGBT 门。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P343和ACPL-W343的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 特性 4.0最大峰值输出电流 3.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 带滞后的LED电流输入 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模拒绝(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可37...

  ACPL-H312光电耦合器包含GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACPL-H312系列可用于驱动驱动IGBT的分立功率级门。 ACPL-H312的绝缘电压为V IORM = 891 V peak (选项060)。 功能 2.5最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR),VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(V OL ) I CC = 3 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作电压 CC 范围:15至30伏 最大开关速度500 ns 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(待定):-UL认可3750 Vrms 1分钟。 -CSA认证 -IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 V IORM = 891 V peak (选项060) 可用选项包括: 060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2选项 500 =卷带包装选项 XXXE =无铅选项 应...

  Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。 特性 2.5A最大峰值输出电流 宽工作V CC 范围:15至30 V 110ns最大传播延迟 50ns最大传播延迟差异 轨到轨输出电压 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 V CM = 1500 V 带迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK ...

  ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器应用的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合高频直接驱动MOSFET,实现高效率转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,并且通过5000 V RMS认可UL1577 1分钟。 功能 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传播延迟 50 ns最大传播延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA允许自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 100 kV / s最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作V CC 范围:10工作温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可5000 V RMS 持续1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...

  ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器包含AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。此栅极驱动 光耦非常适合驱动电源 IGBT 以及用于电机控制逆变器应用的MOSFET 。 输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 对于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分立功率级。在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高分别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 功能 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传播延迟 100 ns最大传播延迟差异 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以允许自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护 35 kV /μs最小共模抑制(CMR) V CM = 1500 V 宽工作电压V CC 范围:15至30 V 工业温度范围:-40°C至105°C 安全认证: UL认可375...

  HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04204购买。 。 HCPL-5121在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。对于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分立功率级,从而驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV / s在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...

  HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高可靠性H级密封光电耦合器。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商业级或DLA标准微电路图(SMD)5962-04205购买。 。 HCPL-5151在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。 该器件由光耦合的GaAsP LED组成到具有功率输出级的集成电路。该器件非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分立功率级,驱动IGBT栅极。 特性 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DLA标准微电路图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑制(CMR):10 kV /微; s,在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...